金属氧化物半导体（MOS）和碳化硅（SiC）MOS是两种常见的半导体材料，它们在电子器件中的应用具有显著的区别。金属氧化物MOS主要基于金属氧化物材料如氧化铟锡（ITO）、氧化锌（ZnO）等，而碳化硅MOS则基于碳化硅（SiC）材料，这两种材料在导电性、耐高温性能、应用领域和制造工艺等方面各具特点。YFW佑风微半导体对金属氧化物和柔性石墨烯MOS的主要区别做以下分享，帮助理解它们在现代电子技术中的不同应用。
肖特基二极管因其低正向压降和快速的开关特性，广泛应用于各种电源电路和高频电路中。在某些高电流需求的场合，为了提高电流承载能力和系统的可靠性，可能会考虑将多个肖特基二极管组成肖特基桥，并进行并联使用。那么，肖特基桥是否可以并联使用呢？
